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NM27P512VE150

更新时间： 2024-01-28 00:47:50

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
12页	178K
描述
524,288-Bit (64K x 8) Processor Oriented CMOS EPROM

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NM27P512VE150 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.32
最长访问时间：	150 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.995 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.455 mm

NM27P512VE150 数据手册

December 1993

NM27P512

524,288-Bit (64K x 8) Processor Oriented

CMOS EPROM

General Description

Features

Fast output turn off to eliminate wait states

Extended data hold time for microprocessor

compatibility

The NM27P512 is a 512K Processor Oriented EPROM con-

figured as 64k x 8. It’s designed to simplify microprocessor

interfacing while remaining compatible with standard

EPROMs. It can reduce both wait states and glue logic

when the specification improvements are taken advantage

of in the system design. The NM27P512 is implemented in

National’s advanced CMOS EPROM process to provide ex-

cellent reliability and access times as fast as 120 ns.

High performance CMOS

Ð 120 ns access time

JEDEC standard pin configuration

Manufacturer’s identification code

The interface improvements address two areas to eliminate

the need for additional devices to adapt the EPROM to the

microprocessor and to eliminate wait states at the termina-

tion of the access cycle. Even with these improvements, the

NM27P512 remains compatible with industry standard

JEDEC pinout EPROMs. The maximum specification for out-

put turn-off time has been reduced, eliminating the need for

wait states at the end of a read cycle. Also, the minimum

specification for output hold time has been increased, elimi-

nating the need for external circuitry to hold the data.

Block Diagram

TL/D/11365–1

TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.

NSC800^TMis a trademark of National Semiconductor Corporation.

1995 National Semiconductor Corporation

TL/D/11365

RRD-B30M105/Printed in U. S. A.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NM27P512VE200	NSC	524,288-Bit (64K x 8) Processor Oriented CMOS EPROM	获取价格
NM28C64AEN	TI	8KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
NM28C64AEN28	TI	8KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
NM28C64AET28	TI	8KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDSO28, TSOP1-28	获取价格
NM28C64AN	TI	8KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
NM28C64AN28	TI	8KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格

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