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NM28C64EN28

更新时间: 2024-02-02 15:57:23
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10页 300K
描述
x8 EEPROM

NM28C64EN28 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.3
最长访问时间:120 ns命令用户界面:NO
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:35.725 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
页面大小:32 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:5.334 mm
最大待机电流:0.00005 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.008 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES宽度:15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms

NM28C64EN28 数据手册

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