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NM24W08EN

更新时间： 2024-02-09 23:26:47
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
14页 151K
描述
I2C Serial EEPROM

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NM24W08EN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92其他特性：16 BYTE PAGE WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：0.1 MHz数据保留时间-最小值：40
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010DMMR
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e0
长度：9.817 mm内存密度：8192 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.00005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

NM24W08EN 数据手册

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PRELIMINARY  
March 1999  
NM24Wxx  
2K/4K/8K/16K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface  
Serial EEPROM with Full Array Write Protect  
General Description  
Features  
The NM24Wxx devices are 2048/4096/8192/16,384 bits, respec-  
tively, of CMOS non-volatile electrically erasable memory. These  
devices conform to all specifications in the IIC 2-wire protocol and  
are designed to minimize device pin count, and simplify PC board  
layout requirements.  
■ Hardware Write Protect for entire memory  
■ Low Power CMOS  
200µA active current typical  
10µA standby current typical  
1µA standby typical (L)  
0.1µA standby typical (LZ)  
The entire ememory can be disabled (Write Protected) by con-  
nectingtheWPpintoVCC.Thememorythenbecomesunalterable  
■ IIC Compatible interface  
unless WP is switched to VSS  
.
— Provides bidirectional data transfer protocol  
■ Sixteen byte page write mode  
— Minimizes total write time per byte  
This communications protocol uses CLOCK (SCL) and DATA  
I/O (SDA) lines to synchronously clock data between the master  
(forexampleamicroprocessor)andtheslaveEEPROMdevice(s).  
The Standard IIC protocol allows for a maximum of 16K of  
EEPROM memory which is supported by Fairchild's family in 2K,  
4K, 8K, and 16K devices, allowing the user to configure the  
memory as the application requires with any combination of  
EEPROMs.  
■ Self timed write cycle  
— Typical write cycle time of 6ms  
■ Endurance: 1,000,000 data changes  
■ Data retention greater than 40 years  
■ Packages available: 8-pin DIP, 8-pin SO, and 8-pin TSSOP  
■ Available in three temperature ranges  
- Commercial: 0° to +70°C  
Fairchild EEPROMs are designed and tested for applications  
requiringhighendurance, highreliabilityandlowpowerconsump-  
tion.  
- Extended (E): -40° to +85C  
- Automotive (V): -40° to +125°C  
Block Diagram  
V
CC  
V
SS  
WP  
H.V. GENERATION  
TIMING &CONTROL  
START CYCLE  
START  
STOP  
SDA  
LOGIC  
CONTROL  
LOGIC  
SLAVE ADDRESS  
REGISTER &  
COMPARATOR  
16/  
32/  
64/  
2
E
PROM  
ARRAY  
XDEC  
SCL  
128/  
LOAD  
INC  
A2  
A1  
A0  
WORD  
ADDRESS  
COUNTER  
0/1/2/3  
4
16  
4
R/W  
YDEC  
Device Address Bits  
8
CK  
D
OUT  
DATA REGISTER  
D
IN  
DS500074-1  
1
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
NM24Wxx Rev. C.2  
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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