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NM24W04VN

更新时间: 2024-01-10 06:48:14
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 456K
描述
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

NM24W04VN 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.92
其他特性:16 BYTE PAGE WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDMRJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0长度:9.817 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:512 words
字数代码:512工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.00005 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.001 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

NM24W04VN 数据手册

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