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NM24W04LZEN

更新时间： 2024-01-29 14:22:44

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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14页	456K
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

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NM24W04LZEN 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	其他特性：	16 BYTE PAGE WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDMR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.817 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

NM24W04LZEN 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM24W04LZM8	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24W04LZMT8	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24W04LZMT8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM24W04LZN	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24W04LZVM8	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24W04LZVM8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
NM24W04LZVMT8	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24W04LZVN	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24W04M8	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24W04MT8	ETC	获取价格	I2C Serial EEPROM