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NGA-386

更新时间： 2024-01-23 00:36:27

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SIRENZA		放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
5页	353K
描述
DC-5000 MHz, Cascadable GaAs HBT MMIC Amplifier

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NGA-386 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SL,4GW-LD,.085CIR	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18.8 dB	最大输入功率 (CW)：	10 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	4	最大工作频率：	5000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SL,4GW-LD,.085CIR	电源：	4 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	45 mA	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	最大电压驻波比：	1.3
Base Number Matches：	1

NGA-386 数据手册

Preliminary

NGA-386

Product Description

DC-5000 MHz, Cascadable GaAs

HBT MMIC Amplifier

Sirenza Microdevices NGA-386 is a high performance Gallium

Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor MMICAmplifierꢀ

Designed with InGaP process technology for improved reliability,

a Darlington configuration is utilized for broadband performance

up to 5 Ghzꢀ The heterojunction increases breakdown voltage

and minimizes leakage current between junctionsꢀ Cancellation

of emitter junction non-linearities results in higher suppres-

sion of intermodulation productsꢀ

Obsolete

Contact Factory

See Application Note AN-059 for Alternates

Product Features

High Gain: 18ꢀ9dB at 1950Mhz

Cascadable 50 ohm: 1ꢀ2:1 VSWR

Operates from Single Supply

Low Thermal Resistance Package

Unconditionally Stable

Small Signal Gain vsꢀ Frequency

Applications

PA Driver Amplifier

Cellular, PCS, GSM, UMTS

IF Amplifier

Wireless Data, Satellite

Frequency GHz

Symbol

Parameter

Units

Frequency

Minꢀ

Typꢀ

Maxꢀ

850 MHz

1950 MHz

2400 MHz

14ꢀ5

15ꢀ0

15ꢀ6

Output Power at 1dB Compression

Output Third Order Intercept Point

Small Signal Gain

dBm

P_1dB

850 MHz

1950 MHz

2400 MHz

25ꢀ8

27ꢀ0

dBm

OIP₃

850 MHz

1950 MHz

2400 MHz

18ꢀ8

20ꢀ9

18ꢀ9

18ꢀ0

23ꢀ0

Bandwidth

Determined by Return Loss (>10dB)

Input VSWR

MHz

5000

1ꢀ2:1

1ꢀ3:1

2ꢀ7

DC - 5000 MHz

2000 MHz

Output VSWR

V_D

Noise Figure

Device Operating Voltage

3ꢀ5

4ꢀ0

4ꢀ5

Device Operating Current

I_D

Thermal Resistance (junction to lead)

°C/W

144

R_TH, j-l

V_S= 8 V

R_BIAS= 120 Ohms T_L= 25ºC

I_D= 35 mA Typꢀ

OIP₃Tone Spacing = 1 MHz, Pout per tone = 0 dBm

Z_S= Z_L= 50 Ohms

Test Conditions:

The information provided herein is believed to be reliable at press timeꢀ Sirenza Microdevices assumes no responsibility for inaccuracies or omissionsꢀ Sirenza Microdevices assumes no responsibility for the use of

this information, and all such information shall be entirely at the users own riskꢀ Prices and specifications are subject to change without noticeꢀ No patent rights or licenses to any of the circuits described herein are

implied or granted to any third partyꢀ Sirenza Microdevices does not authorize or warrant any Sirenza Microdevices product for use in life-support devices and/or systemsꢀ Copyright 2001 Sirenza Microdevices, Incꢀꢀ

All worldwide rights reservedꢀ

522 Almanor Aveꢀ, Sunnyvale, CA 94085

Phone: (800) SMI-MMIC

hpt:t//wwwꢀsirenzaꢀcom

EDS-101103 Rev E

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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