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NEZ3436-30E

更新时间: 2024-01-07 14:26:41
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

NEZ3436-30E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:15 V
最大漏极电流 (ID):27 AFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最高频带:S BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

NEZ3436-30E 数据手册

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