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NEZ-4450-15DL

更新时间： 2023-05-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
CEL /
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN

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NEZ-4450-15DL 数据手册

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NEZ4450-15D  
NEZ4450-15DL  
NEZ4450-8D  
NEZ4450-8DL  
NEZ4450-4D  
NEZ4450-4DL  
C-BAND INTERNALLY  
MATCHED POWER GaAs MESFET  
FEATURES  
OUTPUT POWER AND EFFICIENCY  
vs. INPUT POWER  
•
•
•
•
HIGH POUT  
18 W (42.5 dBm) TYP P1dB for NEZ4450-15D/15DL  
45  
100%  
-15D  
-8D  
-4D  
9 W (39.5 dBm) TYP P1dB for NEZ4450-8D/8DL  
4.5 W (36.5 dbm) TYP P1dB for NEZ4450-4D/4DL  
80%  
60%  
40  
35  
POUT  
HIGH EFFICIENCY  
40% ηadd for 4.5W Device  
38% ηadd for 9W Device  
37% ηadd for 18W Device  
LOW IMD  
30  
40%  
-45 dBc IM3 @ 31.5 dBm Pout (S.C.L.) -15DL  
-45 dBc IM3 @ 29 dBm Pout (S.C.L.) -8DL  
-45 dBc IM3 @ 26 dBm Pout (S.C.L.) -4DL  
25  
20  
20%  
0%  
Efficiency  
32  
SiO2 PASSIVATED CHIP  
For Power/Gain Stability Under RF Overdrive  
12  
17  
22  
27  
37  
•
•
•
CLASS A OPERATION  
INTERNALLY MATCHED (IN/OUT)  
INDUSTRY COMPATIBLE HERMETIC PACKAGES  
Input Power, PIN (dBm)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)  
PART NUMBER  
NEZ4450-4D  
NEZ4450-4DL  
T-61  
NEZ4450-8D  
NEZ4450-8DL  
T-61  
NEZ4450-15D  
NEZ4450-15DL  
T-65  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS  
CHARACTERISTICS  
UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX TEST CONDITIONS  
1
P1DB  
Output Power at PIdB  
ID = 0.8A, RF Off  
ID = 1.6A,RF Off  
ID = 4.0A, RF Off  
dBm  
dBm  
dBm  
35.5 36.5  
VDS = 10V  
f= 4.4  
to 5.1 GHz  
38.5 39.5  
41.5 42.5  
37  
ηADD  
IDS  
Power Added Efficiency @ P1dB  
Drain Current at P1dB  
Linear Gain  
3rd Order Intermodulation3  
Distortion at  
Pout = 26 dBm SCL2  
Pout = 29 dBm SCL2  
Pout = 31.5 dBm SCL2  
%
A
40  
1.1  
38  
2.2  
Zs = ZL =  
50 ohms  
1.5  
-42  
3.0  
4.4  
6.0  
GL  
dB  
9.5 10.5  
9.5 10.5  
9.0 10.0  
IM3  
-XDL  
Option  
Only  
IDSQ = 0.5 x IDSS  
VDS = I0V  
f1 = 4.99GHz  
f2 = 5.00 GHZ  
2 Equal Tones  
dBc  
dBc  
dBc  
-45  
-45 -42  
-45 -42  
9.2 14.0  
IDSS  
VP  
Saturated Drain Current  
VGS = 0 V  
A
1.0 2.3  
3.5 2.0  
-0.5  
4.5  
7.0  
4.0  
Pinch Off Voltage  
IDS = 15mA  
IDS = 30mA  
V
V
V
-3.5 -2.0  
VDS = 2.5 V  
-4.0 -2.0 -0.5  
IDS = 60mA  
-3.5 -2.2 -0.5  
BVDGO  
gm  
Drain-Gate Breakdown Voltage  
IDG = 15 mA  
IDG = 30 mA  
V
V
V
20  
22  
1300  
5.0  
20  
22  
IDG = 60 mA  
20  
22  
Transconductance  
IDS = IA  
IDS = 2A  
mS  
mS  
mS  
2600  
2.5  
IDS = 4A  
5200  
1.3  
RTH (CH-C)  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
Channel Temperature Rise4  
°C/W  
°C  
6.0  
48  
3.0  
48  
1.5  
60  
∆T (CH-C)  
Notes: 1. P1dB: Ouptut Power at the 1dB Gain Compression Point 2. S.C.L.: Single Carrier Level 3. Maximum Spec Applies to -XDL Option Only  
4. ∆T (CH-C) = TCH -TC = 10 V x IDSQ X RTH (CH-C) MAX.  
California Eastern Laboratories  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NEZ4450-15DL NEC

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