5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NEZ1414-2E
NEZ1414-2E PDF预览

NEZ1414-2E

更新时间： 2024-01-04 21:54:54
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 82K
描述
2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

NEZ1414-2E 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (ID)：2.5 AFET 技术：METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NEZ1414-2E 数据手册

 浏览型号NEZ1414-2E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NEZ1414-2E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NEZ1414-2E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NEZ1414-2E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NEZ1414-2E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NEZ1414-2E的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
N-CHANNEL GaAs MESFET  
NEZ1011-2E, NEZ1414-2E  
2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET  
DESCRIPTION  
The NEZ1011-2E and NEZ1414-2E are power GaAs MESFETs which provide high gain, high efficiency and high  
output in X, Ku-band. The internal input and output matching enables guaranteed performance to be achieved with  
only a 50 Ω external circuit. To reduce thermal resistance the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. The  
device incorporates a WSi (tungsten silicide) gate structure for high reliability.  
FEATURES  
•
•
•
•
High Output Power : Po (1 dB) = +34.0 dBm typ.  
High Linear Gain : 8.5 dB typ. (NEZ1011-2E), 7.5 dB typ. (NEZ1414-2E)  
High Efficiency  
: 30 % typ.  
Input and Output Internally Matched for Optimum performance  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Package  
NEZ1011-2E  
NEZ1414-2E  
T-78  
Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office.  
(Part number for sample order: NEZ1011-2E, NEZ1414-2E)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Operation in excess of any one of these parameters may result in permanent damage.  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Symbol  
VDS  
Ratings  
15  
Unit  
V
VGS  
–7  
V
IDS  
3.0 (NEZ1011-2E)  
2.5 (NEZ1414-2E)  
A
Gate Forward Current  
Gate Reverse Current  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
IGF  
IGR  
PT  
+20  
–20  
mA  
mA  
W
15  
Tch  
Tstg  
175  
°C  
–65 to +175  
°C  
Caution Please handle this device at static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive  
device.  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. P13725EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published September 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
©
1998  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与NEZ1414-2E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NEZ1414-3E NEC

获取价格

 		N-CHANNEL GaAs MESFET
NEZ1414-4E NEC

获取价格

 		4W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
NEZ1414-4E CEL

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NEZ1414-5E NEC

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NEZ1414-5E CEL

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NEZ1414-5H NEC

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-
NEZ1414-8E NEC

获取价格

 		8W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
NEZ-15B NEC

获取价格

 		C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ-15BD NEC

获取价格

 		C-BAND POWER GAAS MESFET
NEZ3436-30E RENESAS

获取价格

 		S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET

与NEZ1414-2E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证