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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE68039-T1
NE68039-T1 PDF预览

NE68039-T1

更新时间： 2024-02-16 12:57:33
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
19页 247K
描述
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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NE68039-T1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：0.035 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：50最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

NE68039-T1 数据手册

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FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
                                                                               
ΓOPT  
                                                                               
NE680 SERIES  
NE68030  
NE68018  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
VCE = 3 V, IC = 5 mA  
500  
800  
1.32  
1.48  
1.58  
1.82  
2.12  
12.79  
12.59  
11.35  
5.87  
0.79  
0.72  
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0.64  
0.59  
21  
40  
52  
64  
78  
1.60  
1.43  
1.08  
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0.75  
500  
800  
1.45  
1.50  
1.55  
1.90  
2.40  
20.74  
17.44  
15.79  
9.96  
0.46  
0.39  
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0.24  
0.16  
22  
44  
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0.29  
0.26  
0.12  
1000  
1500  
2000  
1000  
2000  
3000  
54  
76  
3.48  
7.26  
130  
VCE = 6 V, IC = 5 mA  
VCE = 6 V, IC = 5 mA  
1000  
2000  
3000  
4000  
1.52  
1.76  
2.25  
2.92  
16.93  
10.70  
7.56  
0.46  
0.37  
0.36  
0.35  
126  
-159  
-132  
-115  
0.15  
0.11  
0.14  
0.16  
500  
800  
1.5  
1.6  
1.6  
2.1  
2.4  
21.20  
17.50  
15.63  
10.20  
7.49  
.47  
.38  
.44  
.32  
.19  
21  
36  
0.44  
0.31  
0.43  
0.27  
0.14  
1000  
2000  
3000  
47  
5.82  
81  
125  
NE68033  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
NE68019  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
500  
800  
1.10  
1.20  
1.27  
1.43  
1.64  
18.26  
14.56  
13.26  
9.80  
0.65  
0.60  
0.52  
0.47  
0.39  
21  
32  
43  
48  
53  
0.56  
0.42  
0.39  
0.36  
0.32  
VCE = 3 V, IC = 5mA  
500  
800  
1.36  
1.47  
1.55  
1.71  
1.88  
2.06  
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19.2  
15.7  
14.0  
11.0  
9.0  
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18  
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0.47  
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0.31  
0.27  
0.22  
0.18  
0.12  
1000  
1500  
2000  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
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7.76  
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VCE = 6 V, IC = 5 mA  
75  
500  
1.35  
1.45  
1.70  
2.10  
2.55  
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14.20  
9.18  
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-4  
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6.0  
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VCE = 6 V, IC = 5 mA  
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500  
800  
1.36  
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1.55  
1.71  
1.88  
2.06  
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0.30  
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16  
30  
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-63  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
39  
NE68039  
58  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
77  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
7.89  
88  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
6.74  
103  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
NE68035  
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800  
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TYPICAL NOISE PARAMETERS(TA = 25°C)  
1000  
1500  
2000  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
VCE = 6 V, IC = 5 mA  
VCE = 6 V, IC = 5 mA  
1000  
2000  
4000  
1.2  
1.7  
2.6  
19.21  
14.49  
9.12  
0.30  
0.20  
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65  
0.37  
0.30  
0.33  
500  
1.5  
1.6  
1.7  
2.1  
2.6  
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3
0.52  
0.40  
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155  
-128  
1000  
2000  
3000  
4000  
29  
81  
-158  
-116  
7.21  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE68039-T1-A RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-143
NE68039-T2 CEL

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
NE680M03 NEC

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