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NE57500

更新时间: 2024-02-08 11:22:06
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其他 - ETC 晶体晶体管放大器
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7页 574K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 250MA I(C) | CHIP

NE57500 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.40风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.25 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-XUUC-N2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:7.5 W最小功率增益 (Gp):3.5 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2000 MHzBase Number Matches:1

NE57500 数据手册

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