是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 1 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE5500234-A | RENESAS |
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RF & Microwave device | |
NE5500234-AZ | RENESAS |
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NE5500234-AZ | |
NE5500234-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
NE5500234-T1-AZ | RENESAS |
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NE5500234-T1-AZ | |
NE5500234-T1-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
NE5500434-A | RENESAS |
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RF & Microwave device | |
NE5500434-AZ | RENESAS |
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NE5500434-AZ | |
NE5500434-T1-AZ | RENESAS |
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NE5500434-T1-AZ | |
NE5500479A | ETC |
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Discrete | |
NE5500479A-T1 | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |