是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SC-82AB, SC-70, 4 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.37 | 可调性: | FIXED |
最大回动电压 1: | 0.42 V | 标称回动电压 1: | 0.23 V |
最大绝对输入电压: | 6 V | 最大输入电压: | 6 V |
最小输入电压: | 4.3 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 2 mm |
最大电网调整率: | 0.02% | 最大负载调整率: | 0.04% |
功能数量: | 1 | 输出次数: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作温度TJ-Max: | 150 °C |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流 1: | 0.1 A | 最大输出电压 1: | 3.432 V |
最小输出电压 1: | 3.168 V | 标称输出电压 1: | 3.3 V |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | SOT-343R | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 包装方法: | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 认证状态: | Not Qualified |
调节器类型: | FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR | 座面最大高度: | 1.1 mm |
子类别: | Other Regulators | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子面层: | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.3 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
最大电压容差: | 4% | 宽度: | 1.25 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NCP662SQ33T1G | ONSEMI |
类似代替 |
100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCP662SQ33T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP662SQ50T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP662SQ50T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ15T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ15T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ18T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ18T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ25T1 | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator | |
NCP663SQ25T1G | ONSEMI |
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100 mA CMOS Low Iq Low-Dropout Voltage Regulator |