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NCES120P075T4

更新时间： 2024-04-09 19:00:37

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
9页	821K
描述
????新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电压高、损耗低等特点。同时，该系列产品具有优良的短路能力，为应用中的突发状况提供充足的裕量。广泛应用于新能源

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NCES120P075T4 数据手册

PbFree Product

NCES120P075T4

Fig.9 Body Diode Forward Voltage vs.

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

Gate - Source Voltage

Gate - Source Voltage : V_GS[V]

Fig.11 Static Drain - Source On - State

Resistance vs. Gate - Source Voltage

Fig.10 Gate Threshold Voltage vs. Virtual

Junction Temperature

Gate - Source Voltage : V_GS[V]

Virtual Junction Temperature :T_vj[ºC]

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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