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NCE75T120VT

更新时间： 2024-04-09 18:59:27

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新洁能 - NCEPOWER		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1261K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

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NCE75T120VT 数据手册

Pb Free Product

NCE75T120VT

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 8 Switching Loss vs. Collector Current

Figure 7 Switching Loss vs. R_G

Eoff

Eon

Ets

Eoff

Eon

Ets

V_CE=600V

I_C=75A

V_G=15V

V_CE=600V

R_G=10Ω

V_G=15V

R_G, Gate Resistor (Ω)

I_C, Collector Current (A)

Figure 9 Switching Energy vs. Temperature

Figure 10 Forward Bias Safe Operating Area

Eoff

Eon

Ets

not for linear use

V_CE=600V

I_C=75A

R_G=10Ω

V_G=15V

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 11 Gate-Emitter Threshold Voltage as a

Function of Junction Temperature

Figure 12 Typical Collector-Emitter Saturation

Voltage as a function of Collector Current

V_GE=15V

I_C=3mA

T_J, Junction Temperature (°C)

I_C, Collector Current (A)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

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