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NCE60H30T

更新时间： 2024-04-09 19:01:22

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	655K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE60H30T 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE60H30T

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 BV_DSSvs Junction Temperature

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 V_GS(th)vs Junction Temperature

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page5

V1.0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCE60N1K0D	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品	获取价格
NCE60N1K0F	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品	获取价格
NCE60N1K0I	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品	获取价格
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