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NCE60N640D

更新时间： 2024-04-09 19:01:17

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新洁能 - NCEPOWER		/
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7页	782K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体

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NCE60N640D 数据手册

NCE60N640D

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ

General Description

The series of devices use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent RDS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

V_{DS min@Tjmax}

650

580

6.7

mΩ

R_DS(ON)TYP.

I_D

Features

●Optimized body diode reverse recovery performance

●Low on-resistance and low conduction losses

●Small package

●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

●100% Avalanche Tested

●ROHS compliant

Application

●

Power factor correction（PFC）

Switched mode power supplies(SMPS)

Uninterruptible Power Supply（UPS）

LLC Half-bridge

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

Marking

NCE60N640D

TO-263

NCE60N640D

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

Parameter

Symbol

Value

600

Unit

Drain-Source Voltage (VGS=0V）

VDS

VGS

±30

±20

6.7

Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,AC (f>1 Hz)

Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,DC

Continuous Drain Current at Tc=25°C

Continuous Drain Current at Tc=100°C

VGS

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

4.69

20.1

(Note 1)

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

Derate above 25°C

0.5

W/°C

Avalanche current^{(Note 1)}

1.5

I_AS

Reverse diode dv/dt，V_DS≤480 V,I_SD<I_D

Drain Source voltage slope，V_DS≤480 V

Operating Junction and Storage Temperature Range

dv/dt

T_J,T_STG

V/ns

°C

-55...+175

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

V1.0

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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