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NCE1520KA

更新时间： 2024-04-09 19:00:16

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新洁能 - NCEPOWER		开关
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7页	406K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE1520KA 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

Thermal Characteristic

NCE1520KA

R_θJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case ^{(Note 2)}

1.7

℃/W

Electrical Characteristics (T_C=25℃unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

BV_DSS

I_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage Current

V_GS=0V I_D=250μA

V_DS=150V,V_GS=0V

V_GS=±20V,V_DS=0V

150

165

μA

I_GSS

±100

On Characteristics ^{(Note 3)}

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

V_DS=V_GS,I_D=250μA

V_GS=10V, I_D=10A

V_GS=4.5V, I_D=10A

V_DS=5V,I_D=10A

1.2

1.6

2.5

mΩ

R_DS(ON)

Drain-Source On-State Resistance

g_FS

Forward Transconductance

Dynamic Characteristics ^(Note4)

C_lss

Input Capacitance

Output Capacitance

2500

_DS=75V,V_GS=0V,

C_oss

F=1.0MHz

C_rss

Switching Characteristics ^{(Note 4)}

t_d(on)Turn-on Delay Time

t_r

t_d(off)

t_f

Reverse Transfer Capacitance

18.5

Turn-on Rise Time

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

V_DD=75V,R_L=5Ω

_GS=10V,R_GEN=3Ω

Q_g

Q_gs

Q_gd

7.1

_DS=75V,I_D=10A,

_GS=10V

Drain-Source Diode Characteristics

V_SD

I_S

Diode Forward Voltage ^{(Note 3)}

V_GS=0V,I_S=20A

1.2

Diode Forward Current ^{(Note 2)}

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Forward Turn-On Time

t_rr

TJ = 25°C, IF = 10A

di/dt = 100A/μs^(Note3)

Qrr

t_on

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.

3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.

4. Guaranteed by design, not subject to production

5. EAS condition:Tj=25℃,V_DD=50V,V_G=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω

Wuxi NCE Power Co., Ltd

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v1.0

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