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NBB-302-T3

更新时间： 2024-01-20 22:20:46

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Amplifier. Other

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NBB-302-T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LGA9,3X3,40	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	9 dB	最大输入功率 (CW)：	20 dBm
JESD-609代码：	e4	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	9
最大工作频率：	12000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-45 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装等效代码：	LGA9,3X3,40
电源：	3.9 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	端子面层：	Gold (Au)
最大电压驻波比：	2.8	Base Number Matches：	1

NBB-302-T3 数据手册

NBB-302

CASCADABLE BROADBAND

GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz

Typical Applications

• Narrow and Broadband Commercial and

Military Radio Designs

• Gain Stage or Driver Amplifiers for

MWRadio/Optical Designs (PTP/PMP/

LMDS/UNII/VSAT/WLAN/Cellular/DWDM)

• Linear and Saturated Amplifiers

Product Description

The NBB-302 cascadable broadband GaInP/GaAs MMIC

amplifier is a low-cost, high-performance solution for gen-

eral purpose RF and microwave amplification needs. This

50Ω gain block is based on a reliable HBT proprietary

MMIC design, providing unsurpassed performance for

small-signal applications. Designed with an external bias

resistor, the NBB-302 provides flexibility and stability. The

NBB-302 is packaged in a low-cost, surface-mount

ceramic package, providing ease of assembly for high-

volume tape-and-reel requirements. It is available in

either packaged or chip (NBB-300-D) form, where its gold

metallization is ideal for hybrid circuit designs.

2.94 min

3.28 max

0.025 min

0.125 max

0.50 nom

1.00 min

1.50 max

Pin 1

Indicator

Pin 1

Indicator

RF OUT

Ground

RF IN

Ground

Lid ID

1.70 min

1.91 max

0.98 min

1.02 max

0.38 nom

2.39 min

2.59 max

0.37 min

0.63 max

All Dimensions in Millimeters

Notes:

1. Solder pads are coplanar to within ±0.025 mm.

2. Lid will be centered relative to frontside metallization with a tolerance of ±0.13 mm.

3. Mark to include two characters and dot to reference pin 1.

Optimum Technology Matching® Applied

Package Style: MPGA, Bowtie, 3x3, Ceramic

Si BJT

GaAs HBT

SiGe HBT

GaN HEMT

GaAs MESFET

Si Bi-CMOS

GaInP/HBT

Si CMOS

Features

• Reliable, Low-Cost HBT Design

• 12.0dB Gain, +13.7dBm P1dB@2GHz

• High P1dB of +14.0dBm@6.0GHz and

+11.0dBm@14.0GHz

Pin 1

Indicator

• Single Power Supply Operation

• 50Ω I/O Matched for High Freq. Use

RF OUT

Ground

RF IN

Ground

Ordering Information

NBB-302

Cascadable Broadband GaAs MMIC Amplifier DC to

12GHz

NBB-302-T1 or -T3Tape & Reel, 1000 or 3000 Pieces (respectively)

NBB-302-E Fully Assembled Evaluation Board

RF Micro Devices, Inc.

7628 Thorndike Road

Greensboro, NC 27409, USA

Tel (336) 664 1233

Fax (336) 664 0454

http://www.rfmd.com

Functional Block Diagram

Rev A0 020115

4-317

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NBB-310	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-310_07	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-310-D	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-310-PCBA-41X	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-310-T1	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-312	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格

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