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NBB-312

更新时间： 2024-01-13 03:58:34

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描述
CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz

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NBB-312 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LGA9,3X3,40	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	5A991.G	HTS代码：	8517.70.00.00
风险等级：	5.14	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	9 dB
最大输入功率 (CW)：	20 dBm	JESD-609代码：	e4
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	9	最大工作频率：	12000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-45 °C	封装主体材料：	CERAMIC
封装等效代码：	LGA9,3X3,40	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Gold (Au)	最大电压驻波比：	1.5
Base Number Matches：	1

NBB-312 数据手册

NBB-312

CASCADABLE BROADBAND

GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz

Typical Applications

• Narrow and Broadband Commercial and

Military Radio Designs

• Gain Stage or Driver Amplifiers for

MWRadio/Optical Designs (PTP/PMP/

LMDS/UNII/VSAT/WLAN/Cellular/DWDM)

• Linear and Saturated Amplifiers

Product Description

The NBB-312 cascadable broadband InGaP/GaAs MMIC

amplifier is a low-cost, high-performance solution for gen-

eral purpose RF and microwave amplification needs. This

50Ω gain block is based on a reliable HBT proprietary

MMIC design, providing unsurpassed performance for

small-signal applications. Designed with an external bias

resistor, the NBB-312 provides flexibility and stability. The

NBB-310 is packaged in a low-cost, surface-mount

ceramic package, providing ease of assembly for high-

volume tape-and-reel requirements. It is available in

either 1,000 or 3,000 piece-per-reel quantities. Connec-

torized evaluation board designs optimized for high fre-

quency are also available for characterization purposes.

2.94 min

3.28 max

0.025 min

0.125 max

0.50 nom

1.00 min

1.50 max

Pin 1

Indicator

Pin 1

Indicator

RF OUT

Ground

RF IN

Ground

Lid ID

1.70 min

1.91 max

0.98 min

1.02 max

0.38 nom

2.39 min

2.59 max

0.37 min

0.63 max

All Dimensions in Millimeters

Notes:

1. Solder pads are coplanar to within ±0.025 mm.

2. Lid will be centered relative to frontside metallization with a tolerance of ±0.13 mm.

3. Mark to include two characters and dot to reference pin 1.

Optimum Technology Matching® Applied

Package Style: MPGA, Bowtie, 3x3, Ceramic

Si BJT

GaAs HBT

SiGe HBT

GaN HEMT

GaAs MESFET

Si Bi-CMOS

InGaP/HBT

Si CMOS

Features

SiGe Bi-CMOS

• Reliable, Low-Cost HBT Design

• 12.5dB Gain

• High P1dB of +15.8dBm at 6GHz

• Single Power Supply Operation

• 50Ω I/O Matched for High Frequency

Use

Pin 1

Indicator

RF OUT

Ground

RF IN

Ordering Information

NBB-312

Cascadable Broadband GaAs MMIC Amplifier DC to

12GHz

NBB-312-T1 or -T3Tape & Reel, 1000 or 3000 Pieces (respectively)

NBB-312-E

NBB-X-K1

Fully Assembled Evaluation Board

Extended Frequency InGaP Amp Designer’s Tool Kit

RF Micro Devices, Inc.

7628 Thorndike Road

Tel (336) 664 1233

Fax (336) 664 0454

http://www.rfmd.com

Greensboro, NC 27409, USA

Functional Block Diagram

Rev A3 030912

4-25

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NBB-312_06	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-312_1	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-312-E	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-312-T1	RFMD	CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz	获取价格
NBB-312-T3	ETC	Amplifier. Other	获取价格
NBB-32640	ETC	NBF-SERIES NEMA ECONOMY ENCLOSURES	获取价格

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