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NAND98R3M2BZBB5E

更新时间： 2024-02-27 09:25:09

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	724K
描述
Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107

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NAND98R3M2BZBB5E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	FBGA, BGA107,10X14,32	针数：	107
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	JESD-30 代码：	R-PBGA-B107
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	混合内存类型：	FLASH+SDRAM
端子数量：	107	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA107,10X14,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Memory ICs
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NAND98R3M2BZBB5E 数据手册

Contents

NANDxxxxMx

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.1

1.2

NAND flash memory component . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

LPSDRAM component . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7

2.8

2.9

Flash memory inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Flash memory inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Flash memory Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Flash memory Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Flash memory Chip Enable (E_F) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Flash memory Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Flash memory Write Enable (W_F) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Flash memory Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Flash memory Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

2.10 Flash memory V_DDFsupply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

2.11 Flash memory V_SSFground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

2.12 LPSDRAM address inputs (A0-A12) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2.13 LPSDRAM bank select address inputs (BA0-BA1) . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2.14 LPSDRAM data inputs/outputs (DQ0-DQ15 and DQ16-DQ31) . . . . . . . . 18

2.15 LPSDRAM Chip Select (E_D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2.16 LPSDRAM Column Address Strobe (CAS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2.17 LPSDRAM Row Address Strobe (RAS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2.18 LPSDRAM Write Enable (W_D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.19 LPSDRAM Clock Input (K) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.20 LPSDRAM Clock Input (K) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.21 LPSDRAM Clock Enable (KE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.22 Lower/Upper Data Read/Write Strobe input/output (LDQS, UDQS) . . . . 19

2.23 LPSDRAM data input/output mask pins (DQM0, DQM1, DQM2, DQM3) 19

2.24 LPSDRAM V_DDDsupply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.25 LPSDRAM V_DDQDsupply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2.26 LPSDRAM V_SSDground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2/32

123 4 5 6 7...33

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与NAND98R3M2BZBB5E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NAND98R3M2BZBB5F	NUMONYX	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C	获取价格
NAND98R4M2AZBA5E	NUMONYX	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C	获取价格
NAND98R4M2AZBA5F	NUMONYX	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C	获取价格
NAND98R4M2BZBA5E	NUMONYX	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C	获取价格
NAND98R4M2BZBA5F	NUMONYX	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA149, 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C	获取价格
NAND98W3M0BZBB5F	NUMONYX	Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA107,	获取价格

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