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NAND01GW3B2BZA1T

更新时间: 2024-02-19 08:12:59
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 1343K
描述
Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

NAND01GW3B2BZA1T 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
针数:63Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.1Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B63
JESD-609代码:e0长度:12 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:63字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.05 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NAND TYPE
宽度:9.5 mmBase Number Matches:1

NAND01GW3B2BZA1T 数据手册

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NAND01G-B2B, NAND02G-B2C  
List of tables  
List of tables  
Table 1.  
Table 2.  
Table 3.  
Table 4.  
Table 5.  
Table 6.  
Table 7.  
Table 8.  
Device summary. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1  
Product description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8  
Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9  
Valid blocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12  
Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17  
Address insertion, x8 devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17  
Address insertion, x16 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18  
Address definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18  
Address definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18  
Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19  
Copy back program x8 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26  
Copy back program x16 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26  
Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31  
Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32  
Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32  
Electronic signature byte/word 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33  
NAND flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36  
Program, erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39  
Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40  
Operating and AC measurement conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41  
Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41  
DC characteristics, 1.8 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43  
DC characteristics, 3 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43  
AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44  
AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45  
TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 55  
VFBGA63 9.5 x 12 mm - 6 x 8 ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data. . . . . 56  
VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data . 57  
Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58  
Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59  
Table 9.  
Table 10.  
Table 11.  
Table 12.  
Table 13.  
Table 14.  
Table 15.  
Table 16.  
Table 17.  
Table 18.  
Table 19.  
Table 20.  
Table 21.  
Table 22.  
Table 23.  
Table 24.  
Table 25.  
Table 26.  
Table 27.  
Table 28.  
Table 29.  
Table 30.  
5/60  

与NAND01GW3B2BZA1T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NAND01GW3B2BZA6 STMICROELECTRONICS 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND01GW3B2BZA6E NUMONYX 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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