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NAND01GW3B2BZA1F PDF预览

NAND01GW3B2BZA1F

更新时间: 2024-01-30 17:02:36
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
62页 713K
描述
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

NAND01GW3B2BZA1F 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
针数:63Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.1Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B63
JESD-609代码:e0长度:12 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:63字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.05 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NAND TYPE
宽度:9.5 mmBase Number Matches:1

NAND01GW3B2BZA1F 数据手册

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Contents  
12  
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C  
Package mechanical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57  
Part numbering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60  
Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61  
13  
14  
4/62  

与NAND01GW3B2BZA1F相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NAND01GW3B2BZA1T NUMONYX Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

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NAND01GW3B2BZA1T STMICROELECTRONICS 128MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

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NAND01GW3B2BZA6 STMICROELECTRONICS 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND01GW3B2BZA6E NUMONYX 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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NAND01GW3B2BZA6E STMICROELECTRONICS 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND01GW3B2BZA6F STMICROELECTRONICS 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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