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N8X350N

更新时间: 2024-11-16 20:01:51
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国巨 - YAGEO 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 155K
描述
Standard SRAM, 256X8, TTL, PDIP22

N8X350N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
JESD-30 代码:R-PDIP-T22内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:22字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:256X8输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

N8X350N 数据手册

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