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N74F764N

更新时间: 2024-11-20 15:45:55
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 动态存储器光电二极管外围集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 704K
描述
DRAM Controller, 256K X 1, Bipolar, PDIP40

N74F764N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
地址总线宽度:18边界扫描:NO
总线兼容性:68020; 68000 FAMILY; 8086; Z80外部数据总线宽度:
JESD-30 代码:R-PDIP-T40低功率模式:NO
内存组织:256K X 1区块数量:1
端子数量:40最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified最大压摆率:210 mA
最大供电电压:5.5 V最小供电电压:4.5 V
标称供电电压:5 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAMBase Number Matches:1

N74F764N 数据手册

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