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N4085ZC100

更新时间： 2024-11-24 21:08:47

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IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	478K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8161A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

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N4085ZC100 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8161 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

N4085ZC100 数据手册

Date:- 30 Jan, 2003

Data Sheet Issue:- 1

Phase Control Thyristor

Types N4085ZC080 to N4085ZC120

Old Type No.: N1600CH02-12

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

800-1200

900-1300

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AV)M

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

4085

2743

1609

I_T(RMS)MNominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

8161

I_T(d.c.)

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

6841

I_TSM

I_TSM2

I²t

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

Critical rate of rise of on-state current (repetitive, 60s), (Note 6)

Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)

Peak reverse gate voltage

64.0

70.0

20.5×10⁶

24.5×10⁶

150

A²s

A/µs

I²t

(di/dt)_cr

300

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

Mean forward gate power

Peak forward gate power

T_{j op}

Operating temperature range

-40 to +125

-40 to +150

°C

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=125°C.

Data Sheet. Types N4085ZC080 to N4085ZC120 Issue 1

Page 1 of 11

January, 2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N4085ZC120	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 8161A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
N4085ZC120	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。器件电压范围在400V至
N4085ZD080	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。器件电压范围在400V至
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N4099	DBLECTRO	获取价格	Suitable for electrical application, telecommunication, automatic control, wireless radio
N4099	HUAXINAN	获取价格	Small size, light weight, Low price
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N409912DE	DBLECTRO	获取价格	Suitable for electrical application, telecommunication, automatic control, wireless radio
N409924D	DBLECTRO	获取价格	Suitable for electrical application, telecommunication, automatic control, wireless radio

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