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N2080D1TBC1S

更新时间: 2024-02-29 21:00:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Voltage Multiplier Diode, Silicon,

N2080D1TBC1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VOLTAGE MULTIPLIER DIODE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

N2080D1TBC1S 数据手册

  

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