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N2080H1EB1SE3

更新时间: 2024-02-25 07:43:57
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

N2080H1EB1SE3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
应用:POWER配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
相数:1Base Number Matches:1

N2080H1EB1SE3 数据手册

  

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