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N20120D1TN1S

更新时间: 2023-06-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Voltage Multiplier Diode, Silicon,

N20120D1TN1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92

N20120D1TN1S 数据手册

  

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