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N1463DZ36JOO

更新时间： 2024-11-21 18:21:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5590A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, 101A325, 3 PIN

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N1463DZ36JOO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：300 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：5590 A
断态重复峰值电压：3600 V重复峰值反向电压：3600 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

N1463DZ36JOO 数据手册

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Date : Dec-99  
Rat Rep : 99T11  
Issue 2  
WESTCODE  
Converter Thyristor  
Type N1463xx36xxx to N1463xx42xxx  
Absolute maximum ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1).  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1).  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1).  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1).  
3600-4200  
3600-4200  
3600-4200  
3700-4300  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2).  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 5).  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3).  
Nominal RMS on-state current, 25°C, (note 2).  
D.C. on-state current, 25°C, (note 7).  
2850  
A
A
1960  
1200  
A
5590  
A
4900  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 4).  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM≤10V, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM≤10V, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=3ms, VRM≤0.6VRRM, (note 4).  
Critical rate of rise of on-state current (continuous), (note 6).  
Critical rate of rise of on-state current (intermittent), (note 6).  
Peak forward gate current.  
46.8×103  
52.0×103  
11.0×106  
13.5×106  
8.2×106  
150  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
A
I2t  
I2t  
di/dt  
300  
IFGM  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
10  
Peak reverse gate voltage.  
5
V
Mean forward gate power.  
5
W
Peak forward gate power.  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 5).  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range.  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range.  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per K is applicable for Tj below 25°C.  
2) Doubleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Singleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
5) Rated VDRM.  
6) VD=67%VDRM, IT=5500A, IFG=2A, tr=500ns.  
7) Doubleside cooled.  
Types N1463xx36xxx to N1463xx42xxx Rat. Rep. 99T11  
page 1 of 8  
December, 1999  
12345678

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与N1463DZ36JOO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1463DZ36KOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1463DZ36LOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590 A, 3600 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1463DZ37 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590 A, 3700 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1463DZ37GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590A I(T)RMS, 3700V V(DRM), 3700V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1463DZ37HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590 A, 3700 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1463DZ37JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590 A, 3700 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1463DZ37LOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590 A, 3700 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1463DZ38 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590 A, 3800 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1463DZ38GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590 A, 3800 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1463DZ38HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5590A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1 Element, 101A32

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