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N1283CH46

更新时间： 2024-10-02 07:06:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
9页 101K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 7317 A, 4600 V, SCR, 101A322, 3 PIN

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N1283CH46 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：300 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：1000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
最大漏电流：300 mA通态非重复峰值电流：49500 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：6620000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：7317 A
断态重复峰值电压：4600 V重复峰值反向电压：4600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

N1283CH46 数据手册

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Date: November, 2000  
Data Sheet: 99T03  
Issue: 3  
WESTCODE  
Provisional Data  
Phase Control Thyristor  
Types N1283CH43 to N1283CH52  
Absolute maximum ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage (note 1)  
4300-5200  
4300-5200  
4300-5200  
4400-5300  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C (note 4)  
3764  
2658  
1680  
7317  
6620  
49.5  
A
A
A
A
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM (note 5)  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
A
≤
55  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.4VRRM (note 5)  
12.25x106  
15.13x106  
150  
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current, repetitive (note 6)  
Critical rate of rise of on-state current, non-repetitive (note 6)  
Peak forward gate current  
di/dt  
300  
IFGM  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
10  
Peak reverse gate voltage  
5
V
Mean forward gate power  
5
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
V
THS  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67%VDRM, IT=5000A, IFG=2A, tr=500ns.  
7) Rated VDRM.  
Types N1283CH43-52 Provisional Data Sheet 99T03AD Issue 3  
page 1 of 9  
November, 2000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1283CH46G00 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6620000mA I(T), 4600V V(DRM),
N1283CH46H00 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6620000mA I(T), 4600V V(DRM),
N1283CH46HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 7317A I(T)RMS, 4600V V(DRM), 4600V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1283CH46J00 IXYS

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