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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 最大漏电流： | 20 mA | 通态非重复峰值电流： | 2400 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 110000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 172.7 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 20000 µA | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N105PH06KOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 E |
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| N105PH08GOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 E |
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| N105PH08JOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 E |
|
| N105PH12 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
|
| N105PH14JOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 |
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| N105PH14KOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 |
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| N105PH14LOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 |
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| N105PH15 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 1500V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 |
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| N105PH16 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element |
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| N105RH02GOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 172.7A I(T)RMS, 110000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 E |
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