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N0302P

更新时间： 2022-11-26 22:38:05
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 257K
描述
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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N0302P 数据手册

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N0302P  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
CHARACTERISTICS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
IDSS  
TEST CONDITIONS  
VDS = −30 V, VGS = 0 V  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
−10  
m10  
−2.5  
μA  
μA  
V
IGSS  
VGS = m16 V, VDS = 0 V  
VDS = −10 V, ID = −1.0 mA  
VDS = −10 V, ID = −2.2 A  
VGS = −10 V, ID = −2.2 A  
VGS = −4.5 V, ID = −2.2 A  
VGS = −4.0 V, ID = −2.2 A  
VDS = −10 V,  
−1.0  
Gate to Source Cut-off Voltage  
Forward Transfer AdmittanceNote  
Drain to Source On-state ResistanceNote  
VGS(off)  
| yfs |  
RDS(on)1  
RDS(on)2  
RDS(on)3  
Ciss  
2.0  
S
35  
50  
54  
77  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
60  
150  
Input Capacitance  
620  
130  
100  
8
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
Coss  
VGS = 0 V,  
Crss  
f = 1.0 MHz  
VDD = −15 V, ID = −2.2 A,  
VGS = −10 V,  
td(on)  
tr  
3
ns  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
td(off)  
RG = 10 Ω  
53  
ns  
tf  
26  
ns  
VDD = −24 V,  
VGS = −10 V,  
ID = −4.4 A  
Total Gate Charge  
QG  
14  
nC  
nC  
nC  
V
Gate to Source Charge  
Gate to Drain Charge  
Body Diode Forward VoltageNote  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
QGS  
2.2  
4.4  
0.88  
29  
QGD  
VF(S-D)  
Trr  
IF = 4.4 A, VGS = 0 V  
IF = 4.4 A, VGS = 0 V,  
di/dt = 50 A/μs  
ns  
Qrr  
12  
nC  
Note Pulsed  
TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME  
TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE  
D.U.T.  
D.U.T.  
IG  
= −2 mA  
V
GS (−)  
R
L
R
L
90%  
V
GS  
Wave Form  
VGS  
10%  
0
R
G
PG.  
VDD  
50 Ω  
PG.  
VDD  
VDS (−)  
90%  
90%  
VDS  
VGS (−)  
10% 10%  
0
V
DS  
Wave Form  
0
τ
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
τ = 1  
μs  
ton  
toff  
Duty Cycle ≤ 1%  
2
Data Sheet D20205EJ1V0DS  
12345678

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N0302P-T1-AT RENESAS P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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