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N02L63W3AT5IT

更新时间： 2024-02-03 22:45:34

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	219K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K × 16bit

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N02L63W3AT5IT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	LSSOP, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.41 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	1.8 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

N02L63W3A

Timing Waveform of Write Cycle (WE control)

Address

, t

LBW UBW

LB, UB

High-Z

Data Valid

Data In

Data Out

WHZ

High-Z

Timing Waveform of Write Cycle (CE Control)

Address

, t

LBW UBW

LB, UB

Data Valid

Data In

WHZ

High-Z

Data Out

Rev. 15 | Page 8 of 11 | www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N02L83W2A	ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N02L83W2AN25I	ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N02L83W2AN25IT	ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N02L83W2AN5I	ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N02L83W2AN5IT	ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N02L83W2AT25I	ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格