N02L63W2AT5IT

更新时间： 2024-02-03 23:50:39

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安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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11页	219K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K × 16 bit

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N02L63W2AT5IT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	LSSOP, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.55
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.25 mm	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.8 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.016 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

N02L63W2AT5IT 数据手册

N02L63W2A

Pin Configuration

A₀

A₃

A₁

A₄

A₂

ONE

CE2

I/O₈

I/O₀

CE1

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A16

A15

A14

A13

A12

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

CE2

I/O₉I/O₁₀A₅

A₆

A₇

I/O₁I/O₂

I/O₃V_CC

V_SSI/O₁₁

V_CCI/O₁₂

A₁₆I/O₄V_SS

A₁₅I/O₅I/O₆

I/O₁₄I/O₁₃A₁₄

I/O₁₅

A₁₂

A₉

A₁₃

A₁₀

I/O₇

A₈

A₁₁

A10

A11

48 Pin BGA (top)

6 x 8 mm

Pin Descriptions

Pin Name

A₀-A₁₆

CE1, CE2

I/O₀-I/O₁₅

Pin Function

Address Inputs

Write Enable Input

Chip Enable Input

Output Enable Input

Lower Byte Enable Input

Upper Byte Enable Input

Data Inputs/Outputs

V_CC

V_SS

Power

Ground

Not Connected

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