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N02L63W2AT5IT

更新时间： 2024-01-07 00:36:26
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 219K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K × 16 bit

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N02L63W2AT5IT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：LSSOP, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.55
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：18.41 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.25 mm最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：1.8 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.016 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

N02L63W2AT5IT 数据手册

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N02L63W2A  
Timing Test Conditions  
Item  
0.1VCC to 0.9 VCC  
Input Pulse Level  
Input Rise and Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
5ns  
0.5 VCC  
CL = 30pF  
-40 to +85 oC  
Operating Temperature  
Timing  
2.3 - 3.6 V  
2.7 - 3.6 V  
Item  
Symbol  
Units  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
tRC  
tAA  
tCO  
tOE  
Read Cycle Time  
70  
55  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
70  
70  
35  
70  
55  
55  
30  
55  
Chip Enable to Valid Output  
Output Enable to Valid Output  
Byte Select to Valid Output  
Chip Enable to Low-Z output  
Output Enable to Low-Z Output  
Byte Select to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Byte Select Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address Change  
Write Cycle Time  
t
LB, tUB  
tLZ  
10  
5
10  
5
tOLZ  
tLBZ, tUBZ  
tHZ  
10  
0
10  
0
20  
20  
20  
20  
20  
20  
tOHZ  
0
0
t
LBHZ, tUBHZ  
tOH  
0
0
10  
70  
50  
50  
50  
40  
0
10  
55  
40  
40  
40  
40  
0
tWC  
tCW  
Chip Enable to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Byte Select to End of Write  
Write Pulse Width  
tAW  
tLBW, tUBW  
tWP  
tAS  
Address Setup Time  
tWR  
Write Recovery Time  
0
0
tWHZ  
tDW  
Write to High-Z Output  
20  
20  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
End Write to Low-Z Output  
40  
0
35  
0
tDH  
tOW  
10  
10  
ns  
Rev. 9 | Page 6 of 11 | www.onsemi.com  
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