是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | FBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
端子数量: | 48 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | FBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 2.5/3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 1.8 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.016 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N02L163WN1AB1-70I | NANOAMP | Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 |
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N02L163WN1AB-55I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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N02L163WN1AT | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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N02L163WN1AT2 | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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N02L163WN1AT2-55I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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N02L163WN1AT-55I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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