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N02L163WC2AT-55I

更新时间： 2024-02-14 08:07:07

品牌	Logo	应用领域
AMI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	185K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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N02L163WC2AT-55I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP2-44	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.25 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

AMI Semiconductor, Inc.

N02L163WC2A

Timing of Read Cycle (CE1 = OE = V , WE = CE2 = V )

Address

Data Out

Previous Data Valid

Data Valid

Timing Waveform of Read Cycle (WE=V )

Address

CE1

CE2

OHZ

OLZ

LB, UB

LBHZ, UBHZ

LBLZ, UBLZ

High-Z

Data Valid

Data Out

(DOC# 14-02-013 REV H ECN# 01-1270)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.amis.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N02L163WC2AT-70I	AMI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	获取价格
N02L163WN1A	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N02L163WN1AB	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N02L163WN1AB1	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N02L163WN1AB1-55I	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N02L163WN1AB1-70I	NANOAMP	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	获取价格