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MZ1200S

更新时间: 2024-11-15 18:54:39
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 1200V V(RRM), Silicon,

MZ1200S 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-MUPM-D4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.7配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:O-MUPM-D4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:6相数:3
端子数量:4最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

MZ1200S 数据手册

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