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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.63 |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 6 |
| 相数： | 3 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MZ1000FT | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| MZ1000S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, |
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| MZ1000T | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, |
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| MZ-10D | ETC |
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EM Tooth Clutch |
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| MZ10KV/1.0A | LEADSUN |
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High Voltage Silicon Assembly Series |
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| MZ10KV/10.0A | LEADSUN |
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High Voltage Silicon Assembly Series |
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| MZ10KV/2.0A | LEADSUN |
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High Voltage Silicon Assembly Series |
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| MZ10KV/3.0A | LEADSUN |
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High Voltage Silicon Assembly Series |
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| MZ10KV/5.0A | LEADSUN |
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High Voltage Silicon Assembly Series |
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| MZ10V | YEASHIN |
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500 mW DO-34 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
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