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MXSMBJ20AE3

更新时间: 2024-11-15 13:26:59
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美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 563K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

MXSMBJ20AE3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-214AA
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.32
Is Samacsys:N最大击穿电压:24.5 V
最小击穿电压:22.2 V击穿电压标称值:23.35 V
最大钳位电压:32.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.38 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:20 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

MXSMBJ20AE3 数据手册

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MXSMBJ20AE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MXSMBJ20A MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXSMBJ20AE3TR MICROSEMI

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600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
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