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MXSMBG150AE3

更新时间： 2024-11-23 13:53:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	563K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 150V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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MXSMBG150AE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-215AA
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	185 V
最小击穿电压：	167 V	击穿电压标称值：	176 V
最大钳位电压：	243 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-215AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.38 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	150 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MXSMBG150AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
MXSMBG150AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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