是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SOP-16 | Reach Compliance Code: | unknown |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 1.72 |
其他特性: | IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1 | 备用内存宽度: | 2 |
最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 10.3 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64MX4 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.65 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 7.52 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MX25L25635FMJ-10G | Macronix |
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Flash, |
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MX25L25635FZ2I10G | Macronix |
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3V 256M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERI |
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MX25L25635FZ2I-10G | Macronix |
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Flash, 64MX4, PDSO8, WSON-8 |
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MX25L25639F | Macronix |
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3V 256M-BIT [x 1/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL M |
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MX25L25639FZ4W08G | Macronix |
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3V 256M-BIT [x 1/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL M |
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MX25L2563EMI-12G | Macronix |
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Flash, 64MX4, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-013, SOP-16 |
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MX25L25645G | Macronix |
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DTR, QPI, Advanced Protection, Individual Protection, H/W Reset |
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MX25L25645GM2I-08G | Macronix |
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Flash, 64MX4, PDSO8, SOP-8 |
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MX25L25645GM2I-10G | Macronix |
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Flash, 64MX4, PDSO8, SOP-8 |
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MX25L25645GMI-08G | Macronix |
获取价格 |
Flash, 64MX4, PDSO16, SOP-16 |
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