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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.79 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-206AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MV2N3823UB | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| MV2N4091 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| MV2N4092 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| MV2N4416A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.015A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Jun |
|
| MV2N4857 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO |
|
| MV2N5114 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| MV2N5115UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET |
|
| MV2N5116 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| MV3 | MTRONPTI |
获取价格 |
5x7 mm, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS, VCXO |
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| MV30001 | MICROSEMI |
获取价格 |
GaAs Varactor Diodes Hyperabrupt |
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