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MV2N4416A PDF预览

MV2N4416A

更新时间： 2024-01-04 07:40:13
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 36K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.015A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AF, TO-72, 3 PIN

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MV2N4416A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-72
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.03
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：35 V
最大漏极电流 (ID)：0.015 AFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：0.8 pFJEDEC-95代码：TO-206AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MV2N4416A 数据手册

  
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
N-CHANNEL J-FET  
Equivalent To MIL-PRF-19500/428  
DEVICES  
LEVELS  
MQ = JAN Equivalent  
2N4416A  
MX = JANTX Equivalent  
MV = JANTXV Equivalent  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VGS  
VDS  
VDG  
IG  
PT  
Tj, Tstg  
-35  
35  
35  
10  
300  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
mWdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate Current  
Power Dissipation  
TA = +25°C(1)  
Operating Junction & Storage Temperature Range  
-65 to + 200  
(1) Derate linearly 1.7 mW/°C for TA > +25°C.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Gate-Source Breakdown Voltage  
VDS = 0, IG = 1.0μA dc  
V(BR)GSS  
-35  
Vdc  
TO-72  
(TO-206AF)  
Gate Reverse Current  
IGSS  
IDSS  
-0.1  
15  
ηAdc  
mAdc  
Vdc  
VDS = 0, VGS = 20V dc  
Drain Current  
VDS = 15V dc  
5
Gate-Source Voltage  
VGS  
-1  
-5.5  
-6.0  
1
V
DS = 15V, ID = 0.5mA dc  
Gate-Source Cutoff Voltage  
DS = 15V, ID = 1.0ηA dc  
VGS(off)  
VGSF  
-2.5  
Vdc  
V
Gate-Source Forward Voltage  
VDS = 0V, IG = 1.0mA dc  
Vdc  
Magnitude of Small-Signal, Common-Source  
Short-Circuit Forward Transfer Admittance (2)  
VGS = 0, VDS = 15V dc, f = 1.0kHz  
|yfs|(2)  
4.5  
7.5  
4.0  
ms  
pF  
Small-Signal, Common-Source Short-Circuit  
Input Capacitance  
Ciss  
VGS = 0, VDS = 15V dc, 100kHz ≤ f ≤1.0MHz  
Small-Signal, Common-Source Short-Circuit  
Reverse Transfer Capacitance  
VDS = 15V dc, VGS = 0, 100kHz ≤ f ≤1.0MHz  
Crss  
0.8  
2.0  
pF  
pF  
Small-Signal, Common-Source Short-Circuit  
Output Capacitance  
Coss  
VDS = 15V dc, VGS = 0, 100kHz ≤ f ≤1.0MHz  
(2) Pulse Width = 100ms; Duty Cycle = 100%  
T4-LDS-0008 Rev. 2 (0080111)  
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