5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BCY | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏源导通电阻： | 30 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-206AA | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MV2N4092 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| MV2N4416A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.015A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Jun |
|
| MV2N4857 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO |
|
| MV2N5114 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| MV2N5115UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET |
|
| MV2N5116 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-18, TO-18, 3 PIN |
|
| MV3 | MTRONPTI |
获取价格 |
5x7 mm, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS, VCXO |
|
| MV30001 | MICROSEMI |
获取价格 |
GaAs Varactor Diodes Hyperabrupt |
|
| MV30002 | MICROSEMI |
获取价格 |
GaAs Varactor Diodes Hyperabrupt |
|
| MV30003 | MICROSEMI |
获取价格 |
GaAs Varactor Diodes Hyperabrupt |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
