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MV2N3823UB

更新时间： 2024-02-08 11:05:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 225K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, CERAMIC PACKAGE-3

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MV2N3823UB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.72
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2 pF
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDSO-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MV2N3823UB 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE  
Equivalent to MIL-PRF-19500/375  
DEVICES  
LEVELS  
MQ = JAN Equivalent  
MX = JANTX Equivalent  
MV = JANTXV Equivalent  
2N3821  
2N3822  
2N3823  
2N3821UB  
2N3822UB  
2N3823UB  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N3821, UB 2N3823, UB  
2N3822, UB  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Unit  
VGSR  
VDS  
VDG  
IGF  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate Current  
50  
50  
50  
30  
30  
30  
V
V
V
10  
mA  
mW  
Power Dissipation  
TA = +25°C (1)  
300  
PT  
Operating Junction & Storage  
Temperature Range  
Tj, Tstg  
-55 to + 200  
°C  
Note: (1) Derate linearly 1.7mW/°C for TA > +25°C.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
TO-72 (TO-206AF)  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
50  
50  
30  
Gate-Source Breakdown Voltage  
VDS = 0, IG = 1.0μA dc  
V(BR)GSSR  
Vdc  
Gate Reverse Current  
V
V
DS = 0, VGS = 30V dc  
DS = 0, VGS = 30V dc  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
0.1  
0.1  
0.5  
IGSSR  
ηA  
VDS = 0, VGS = 20V dc  
Zero-Gate-Voltage Drain Current  
V
GS = 0, VDS = 15V dc  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
0.5  
2.0  
4.0  
2.5  
10  
20  
IDSS  
mA  
Gate-Source Voltage  
DS = 15V dc, ID = 50μA dc  
VDS = 15V dc, ID = 200μA dc  
VDS = 15V dc, ID = 400μA dc  
Gate-Source Cutoff Voltage  
VDS = 15V dc, ID = 0.5ηA dc  
0.5  
1.0  
1.0  
2.0  
4.0  
7.5  
V
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
VGS  
Vdc  
Vdc  
UB - Package  
4.0  
6.0  
8.0  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
VGS(off)  
T4-LDS-0005 Rev. 2 (101425)  
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