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MURP810

更新时间： 2024-11-24 22:40:59

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英特矽尔 - INTERSIL		二极管
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4页	53K
描述
8A, 1000V Ultrafast Diodes

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MURP810 数据手册

MUR8100E, RURP8100

Data Sheet

January 2000

File Number 2780.4

8A, 1000V Ultrafast Diodes

Features

The MUR8100E and RUR8100 are ultrafast diodes

• Ultrafast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . .<75ns

(t < 75ns) with soft recovery characteristics. They have a

low forward voltage drop and are of planar, silicon nitride

passivated, ion-implanted, epitaxial construction.

• Operating Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .175 C

• Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1000V

• Avalanche Energy Rated

These devices are intended for use as energy steering/

clamping diodes and rectiﬁers in a variety of switching power

supplies and other power switching applications. Their low

stored charge and ultrafast recovery with soft recovery

characteristics minimize ringing and electrical noise in many

power switching circuits, thus reducing power loss in the

switching transistor.

• Planar Construction

Applications

• Switching Power Supply

• Power Switching Circuits

• General Purpose

Formerly developmental type TA09617.

Ordering Information

Packaging

JEDEC TO-220AC

PART NUMBER

PACKAGE

TO-220AC

BRAND

MUR8100

RURP8100

MUR8100E

ANODE

CATHODE

RURP8100

CATHODE

(FLANGE)

NOTE: When ordering, use entire part number.

Symbol

Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Speciﬁed

MUR8100E

RURP8100

UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V

1000

RRM

Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V

1000

RWM

DC Blocking Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V

1000

Average Rectiﬁed Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I

F(AV)

(T = 155 C)

Repetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I

(Square Wave 20kHz)

FRM

FSM

Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I

(Halfwave 1 Phase 60Hz)

100

Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P

Avalanche Energy (See Figures 10 and 11) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .E

AVL

Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T

STG

, T

-55 to 175

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MURS1005CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MURS1010CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MURS1015CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MURS1020A	MCC	获取价格
MURS1020CTA	MCC	获取价格
MURS1020CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MURS1020FA	MCC	获取价格
MURS1020FCTA	MCC	获取价格
MURS1030CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
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