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MURHB860CT-BP

更新时间： 2024-09-23 20:42:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		功效二极管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

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MURHB860CT-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.38	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	55 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MURHB860CT-BP 数据手册

MURHB805CT

THRU

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

MURHB860CT

8 Amp

Super Fast

Recovery Rectifier

50 to 600 Volts

Features

High Current Capability

Low Reverse Leakage

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

Super Fast Switching Speed For High Efficiency

D²-PACK

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

MCC

Catalog

Number

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

MURHB805CT

MURHB810CT

MURHB820CT

MURHB840CT

MURHB860CT

35V

70V

100V

200V

400V

600V

100V

140V

280V

420V

200V

400V

600V

2 , 4

HEATSINK

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

8 A

T_C= 125°C

DIMENSIONS

INCHES

DIM

NOTE

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

55A

8.3ms, half sine

MIN

.320

.380

.160

.020

.045

.095

.096

.014

.090

.575

.045

MAX

MIN

8.13

9.65

4.06

0.51

1.14

2.41

2.43

0.35

2.29

14.60

1.14

MAX

9.14

10.45

4.83

0.89

1.40

2.67

3.03

0.53

2.79

15.80

1.40

.359

.411

.190

.035

.055

.105

.120

.021

.110

.625

.055

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

805CT- 820CT

V_F

1.25 V I_FM= 10A;

840CT

860CT

1.5 V

1.75 V

T_A= 25°C

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT

I_R

50mA

T_A= 25°C

.740

18.79

500mA

T_A= 100°C

.065

Inches

1.65

.420

Maximum Reverse

Recovery Time

10.66

.⁰⁷⁰

1.78

T_rr

35ns

50ns

75ns

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

.120

3.05

805CT- 820CT

.330

8.38

840CT

860CT

*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 2%

www.mccsemi.com

Revision: 3

2003/04/30

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MURHB860CTG	ONSEMI	获取价格	MEGAHERTZ Power Rectifier D2PAK Power Surface Mount Package
MURHB860CT-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
MURHB860CT-T3-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
MURHB860CTT4	ONSEMI	获取价格	MEGAHERTZ Power Rectifier D2PAK Power Surface Mount Package
MURHB860CTT4G	ONSEMI	获取价格	MEGAHERTZ Power Rectifier D2PAK Power Surface Mount Package
MURHB860CT-TP	MCC	获取价格	暂无描述
MURHB860-T3	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
MURHB860-T3-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
MURHD560T4	ONSEMI	获取价格	MEGAHERTZ TM Power Rectifier
MURHD560T4_10	ONSEMI	获取价格	MEGAHERTZ Power Rectifier

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