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MURC110AG

更新时间： 2024-11-18 19:24:11
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SENSITRON 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 310K
描述
100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DIE-1

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MURC110AG 技术参数

生命周期：Active包装说明：S-XUUC-N1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.71 V
JESD-30 代码：S-XUUC-N1最大非重复峰值正向电流：35 A
元件数量：1端子数量：1
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

MURC110AG 数据手册

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MURC105-MURC160  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
Technical Data  
Data Sheet 4853, Rev. B  
MURC105-MURC160  
Ultrafast Silicon Die  
Applications:  
Switching Power Supply General Purpose Free-Wheeling Diodes Polarity Protection Diode  
Features:  
Glass-Passivated  
Epitaxial Construction.  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Low Forward Voltage Drop  
Fast Reverse-Recovery Behavior  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Symbol  
MURC  
105  
MURC  
110  
MURC  
115  
MURC MURC  
MURC MURC  
MURC  
160  
Unit  
120  
130  
140  
150  
Peak Inverse Voltage  
VRWM  
IF(AV)  
50  
100  
150  
200  
300  
400  
500  
600  
V
A
Average Rectified Forward  
Current(Square Wave  
Mounting Method #3 Per  
Note1)  
1.0 @ TA = 130C  
1.0 @ TA = 120C  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
8.3 ms, half Sine pulse  
IFSM  
35  
A
Operating Junction  
Temperature and Storage  
Temperature  
TJ, Tstg  
-65 to +175  
C  
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol  
MURC  
105  
MURC  
110  
MURC  
115  
MURC MURC  
MURC MURC  
MURC  
160  
Unit  
120  
130  
140  
150  
Max. Forward Voltage Drop  
(Note1)  
(IF = 1.0 Amp, TJ = 150 C)  
(IF = 1.0 Amp, TJ = 25 C)  
VF  
V
0.710  
0.875  
1.05  
1.25  
Max. Reverse Current (Note1)  
(Rated DC Voltage, TJ = 150 C)  
(Rated DC Voltage, TJ = 25 C)  
IR  
A  
50  
2.0  
150  
5.0  
Max Reverse Recovery Time  
(IF = 1.0 Amp, di/dt = 50 A/s)  
(IF = 0.5 Amp, IR = 1.0 A,  
IREC=0.25A)  
trr  
nS  
35  
25  
75  
50  
Max. Junction Capacitance  
@VR = 5V, TC = 25 C  
fSIG = 1MHz, VSIG = 50mV (p-p)  
Max Forward Recovery Time  
(IF = 1.0 Amp, di/dt = 50 A/s,  
IREC to 1.0V)  
CT  
Tfr  
30  
25  
10  
50  
pF  
nS  
1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤2%  
©2014 Sensitron Semiconductor 221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681  
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 http://www.sensitron.com sales@sensitron.com  
12345

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